In dieser Vorlesung werden Herstellungsprozesse von relevanten Halbleiterbauelementen für Höchstfrequenz-Anwendungen vorgestellt, für den Frequenzbereich bis 3 THz = 3000 GHz
- verantwortliche Lehrperson: Jonathan Abts
- verantwortliche Lehrperson: Lisa Liborius
- verantwortliche Lehrperson: Nils Weimann
ePortfolio: Nein