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    General

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    In dieser Veranstaltung werden Schaltungen von Transistoren, sowie der grundlegende Aufbau und die Funktion von analogen Schaltkreisen für die Anwendungen Hochfrequenz (Verstärker, Oszillator, Mixer, usw.) sowie Leistungsanwendungen (6H-Brücke, usw.) behandelt. 

    Ziel der Veranstaltung: Verständnis entwickeln, wie aus einem Transistor eine Schaltung für reale Anwendungen entsteht, wie passende Grundschaltungen gewählt werden. Verbindung zu realen und relevanten Anwendungsfeldern.   
     
    Die physikalische Funktionsweise von Transistoren und deren Grundschaltungen wird in der 1. Vorlesung kurz wiederholt.  
     
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      Themen der Vorlesung 

      1. kurze Wiederholung: passive Elemente, physikalisches Prinzip der Dioden & Transistoren
      2. Bipolartransistor (BJT): Emitterschaltung, Basisschaltung, Kollektorschaltung, Konstantstromquelle, Darlington-Schaltung, Differenzverstärker, Messung von Transistorparametern, Rauschen 
      3. Feldeffekttransistor (FET): Grundschaltungen, Stromquelle, Differenzverstärker, steuerbarer Widerstand
      4. Operationsverstärker: Eigenschaften, Gegenkopplung, interner Aufbau, Frequenzgang
      5. Analogrechner und gesteuerte Quellen
      6. Aktive Filter: Tiefpass, Bandpass, Hochpass, switched capacitor
      7. Oszillatoren: LC, Quarz, Wien-Brücke, Colpitts, Gegentakt
      8. Breitbandverstärker (1): Frequenzabhängigkeit, Kaskode, Differenz- und Symmetrische Verstärker 
      9. Breitbandverstärker (2): Spannungsfolger, Operationsverstärker, Transimpedanz- und Cherry-Hooper-Verstärker
      10. HF-Verstärker & Mixer
      11. Leistungsverstärker (1):  Emitter- und Sourcefolger, komplementäre, Dimensionierung, Ansteuerschaltung  
      12. Stromversorgung: lineare Regler, Referenzspannung, Schaltregler
      13. 6H-Brücke 
      14. DA- und AD-Wandler: Prinzipien und Schaltkreise 

    • Forum für allgemeine Fragen
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    Informationen zum Praktikum

    Die Vorlesung "Elektronische Schaltungen" wird durch ein Praktikum ergänzt, das 2 Versuche umfasst.
    Es werden
    • digitale Grundschaltungen gemessen und analysiert,
    • das Schaltverhalten von Bipolartransistoren anschaulich untersucht sowie
    • Verstärkerschaltungen auf Basis von Feldeffekttransistoren mittels einfacher Modelle und eines Schaltkreissimulators
    untersucht.
     
    Für die Teilnahme tragen Sie sich bitte in die unten stehende Liste ein. Anmeldeschluss ist der 17.04.2025.
     
     
    • WICHTIG: Allgemeine Regeln zum Praktikum File
    • WICHTIG: Einteilung der Praktikumsgruppen Group choice
      Opened: Tuesday, 8 April 2025, 1:47 PM
      Closes: Thursday, 17 April 2025, 11:59 PM

      Durch Klicken auf den Link können Sie sich bis zum 17.04.2025 in die Praktikumsgruppen eintragen. Bitte erst eine Gruppe vollständig belegen, bevor eine neue Gruppe betreten wird. Das Praktikum findet Mittwochs immer von 14 - 17 Uhr in Raum LT 203 statt. Den Terminplan für die einzelnen Gruppen sehen sie hier:

      Terminplanung für die einzelnen Gruppen

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    Skript zur Vorlesung

    Die Vorlesung basiert auf dem Lehrbuch 

    "Halbleiter-Schaltungstechnik" von U. Tietze und C. Schenk (Ausgabe 1999)

    In der Vorlesung werden ausgewählte Kapitel behandelt.


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    Folien-Handouts (PDF)

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    Übungen

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    Literatursammlung / Software

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    Klausur

    • Hinweise zur Prüfung

       
      Prüfungstermin: XX.XX.2025 (ohne Gewähr)
      Prüfungsort: XXXX (ohne Gewähr)
      Bitte beachten Sie auch die aktuellen Informationen des Prüfungsamts!
       
      Prüfunsmodalitäten: 120 Minuten, 4 Aufgaben
      Erlaubte Hilfsmittel: Taschenrechner (wissenschaftlich, nicht alphanumerisch), kein Skript oder eigene Aufzeichnungen!
       

      Alt-Klausuren

      • Wir bieten eine Sammlung von 3 Altklausuren zum Vorbereitung an
      • Kontaktieren Sie uns bei Interesse direkt per E-Mail
       

      Prüfungsvorbereitung

      Zur Vorbereitung der Klausur wird es eine allgemeine Fragestunde zur Klausur geben.
       
       
      Termin: Datum: XX.XX.2025, Uhrzeit: 
      Ort: Fachgebiet Bauelemente der Höchstfrequenzelektronik
      Lotharstr. 55, ZHO, Gebäude LT , Raum LT 227
       

      Einsichtnahme

      Termin: XX.XX.2025
      Ort: LT227